COB LED ტექნოლოგია
COB, რომელიც „Chip-On-Board“-ის აბრევიატურაა, ითარგმნება როგორც „ჩიპის შეფუთვა დაფაზე“. ეს ტექნოლოგია პირდაპირ ამაგრებს სინათლის გამოსხივების მქონე ჩიპებს სუბსტრატზე გამტარი ან არაგამტარი წებოვანი მასალის გამოყენებით, რაც ქმნის სრულ მოდულს. ეს გამორიცხავს ტრადიციულ SMD შეფუთვაში გამოყენებული ჩიპის ნიღბების საჭიროებას, რითაც ამცირებს ჩიპებს შორის ფიზიკურ დაშორებას.
GOB LED ტექნოლოგია
GOB, რაც „Glue-On-Board“-ის შემოკლებაა, „დაფაზე დაწებებას“ ნიშნავს. ეს ინოვაციური ტექნოლოგია იყენებს ახალი ტიპის ნანომასშტაბიან შემავსებელ მასალას მაღალი ოპტიკური და თბოგამტარობით. ის ტრადიციული LED დისპლეის PCB დაფებსა და SMD ბურთულებს სპეციალური პროცესის მეშვეობით ფარავს და მქრქალ ზედაპირს ანიჭებს. GOB LED დისპლეები ბურთულებს შორის არსებულ სივრცეებს ავსებს, რაც LED მოდულზე დამცავი ფარის დამატების მსგავსია, რაც მნიშვნელოვნად აძლიერებს დაცვას. შეჯამებისთვის, GOB ტექნოლოგია ზრდის დისპლეის პანელის წონას და ამავდროულად მნიშვნელოვნად ახანგრძლივებს მის სიცოცხლის ხანგრძლივობას.
GOB LED ეკრანებიუპირატესობები
გაძლიერებული დარტყმის წინააღმდეგობა
GOB ტექნოლოგია უზრუნველყოფს LED დისპლეების მაღალ დარტყმაგამძლეობას, ეფექტურად ამცირებს უხეში გარე გარემოთი გამოწვეულ დაზიანებას და მნიშვნელოვნად ამცირებს დაზიანების რისკს მონტაჟის ან ტრანსპორტირების დროს.
ბზარებისადმი მდგრადობა
წებოვანი ნივთიერების დამცავი თვისებები ხელს უშლის დისპლეის ბზარების გაჩენას დარტყმის დროს, რაც ქმნის ურღვევ ბარიერს.
GOB-ის დამცავი წებოვანი ბეჭედი მნიშვნელოვნად ამცირებს დარტყმით დაზიანების რისკს აწყობის, ტრანსპორტირების ან მონტაჟის დროს.
დაფის წებოვნების ტექნიკა ეფექტურად იზოლირებს მტვერს, რაც უზრუნველყოფს GOB LED დისპლეების სისუფთავეს და ხარისხს.
GOB LED დისპლეებს აქვთ წყალგაუმტარობა, რაც ინარჩუნებს სტაბილურობას წვიმიან ან ნესტიან პირობებშიც კი.
დიზაინი მოიცავს მრავალ დამცავ ზომას დაზიანების, ტენიანობის ან დარტყმის რისკის შესამცირებლად, რითაც ახანგრძლივებს ეკრანის სიცოცხლის ხანგრძლივობას.
COB LED ეკრანებიუპირატესობები
საჭიროა მხოლოდ ერთი წრედი, რაც უფრო გამარტივებულ დიზაინს იწვევს.
ნაკლები შედუღების შეერთება ამცირებს უკმარისობის რისკს.
გამოქვეყნების დრო: 2024 წლის 17 აგვისტო
